2.7 基本放大电路的派生电路

news2025/7/17 20:16:46

在实际应用中,为了进一步改善放大电路的性能,可用多只晶体管构成复合管来取代基本电路中的一只晶体管;也可根据需要将两种基本接法组合起来,以得到多方面性能俱佳的放大电路。

一、复合管放大电路

1、复合管

(1)晶体管组成的复合管及其电流放大系数
图2.7.1(a)和(b)所示为两只同类型(NPN或PNP)晶体管组成的复合管,等效成与组成它们的晶体管同类型的管子;图( c c c)和(d)所示为不同类型晶体管组成的复合管,等效成与 T 1 T_1 T1 管同类型的管子。下面以(a)为例说明复合管的电流放大系数 β \beta β T 1 T_1 T1 T 2 T_2 T2 的电流放大系数 β 1 \beta_1 β1 β 2 \beta_2 β2的关系。在这里插入图片描述在图(a)中,复合管的基极电流 i B i_B iB 等于 T 1 T_1 T1 管的基极电流 i B 1 i_{B1} iB1,集电极电流 i C i_C iC 等于 T 2 T_2 T2 管的集电极电流 i C 2 i_{C2} iC2 T 1 T_1 T1 管的集电极电流 i C 1 i_{C1} iC1 之和,而 T 2 T_2 T2 管的基极电流 i B 2 i_{B2} iB2 等于 T 1 T_1 T1 管的发射极电流 i E 1 i_{E1} iE1,所以 i C = i C 1 + i C 2 = β 1 i B 1 + β 2 ( 1 + β 1 ) i B 1 = ( β 1 + β 2 + β 1 β 2 ) i B 1 i_C=i_{C1}+i_{C2}=\beta_1i_{B1}+\beta_2(1+\beta_1)i_{B1}=(\beta_1+\beta_2+\beta_1\beta_2)i_{B1} iC=iC1+iC2=β1iB1+β2(1+β1)iB1=(β1+β2+β1β2)iB1因为 β 1 \beta_1 β1 β 2 \beta_2 β2 至少为几十,因而 β 1 β 2 > > ( β 1 + β 2 ) \beta_1\beta_2>>(\beta_1+\beta_2) β1β2>>(β1+β2),所以可以认为复合管的电流放大系数 β ≈ β 1 β 2 ( 2.7.1 ) \beta\approx\beta_1\beta_2\kern 70pt(2.7.1) ββ1β2(2.7.1)同理可以推导出图2.7.1(b)、( c c c)、(d)所示复合管的 β \beta β 均约为 β 1 β 2 \beta_1\beta_2 β1β2
(2)场效应管与晶体管组成的复合管及其跨导
图2.7.2所示为 N N N 沟道增强型场效应管和 NPN \textrm{NPN} NPN 型晶体管组成的复合管,等效成场效应管。由图可知,复合管的栅 - 源动态电压 Δ u G S \Delta u_{GS} ΔuGS 等于 T 1 T_1 T1 管的栅 - 源动态电压 Δ u G S 1 \Delta u_{GS1} ΔuGS1 T 2 T_2 T2 管的b - e动态电压 Δ u B E \Delta u_{BE} ΔuBE 之和,漏极动态电流 Δ i D \Delta i_D ΔiD 等于 T 1 T_1 T1 管的漏极动态电流 Δ i D 1 \Delta i_{D1} ΔiD1 T 2 T_2 T2 管的集电极动态电流 Δ i C 2 \Delta i_{C2} ΔiC2 之和, T 2 T_2 T2 管的基极动态电流 Δ i B 2 \Delta i_{B2} ΔiB2 等于 T 1 T_1 T1 管的源极动态电流 Δ i S 1 \Delta i_{S1} ΔiS1(即 Δ i D 1 \Delta i_{D1} ΔiD1)。在这里插入图片描述下面说明复合管的跨导 g m g_m gm T 1 T_1 T1 管的跨导 g m 1 g_{m1} gm1 T 2 T_2 T2 的电流放大系数 β 2 \beta_2 β2 的关系,画出它们的交流等效电路,如图(b)所示。复合管的栅 - 源电压 U ˙ g s = U ˙ g s 1 + U ˙ b e 2 = U ˙ g s 1 + g m 1 U ˙ g s 1 r b e = ( 1 + g m 1 r b e ) U ˙ g s 1 \dot U_{gs}=\dot U_{gs1}+\dot U_{be2}=\dot U_{gs1}+g_{m1}\dot U_{gs1}r_{be}=(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1} U˙gs=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1漏极电流 I ˙ d = I ˙ d 1 + I ˙ d 2 = g m 1 U ˙ g s 1 + β 2 g m 1 U ˙ g s 1 = ( 1 + β 2 ) g m 1 U ˙ g s 1 \dot I_d=\dot I_{d1}+\dot I_{d2}=g_{m1}\dot U_{gs1}+\beta_2g_{m1}\dot U_{gs1}=(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1} I˙d=I˙d1+I˙d2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1因而跨导 g m = Δ i D Δ u G S = I ˙ d U ˙ g s = ( 1 + β 2 ) g m 1 U ˙ g s 1 ( 1 + g m 1 r b e ) U ˙ g s 1 = ( 1 + β 2 ) g m 1 1 + g m 1 r b e g_m=\frac{\Delta i_D}{\Delta u_{GS}}=\frac{\dot I_d}{\dot U_{gs}}=\frac{(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1}}{(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1}}=\frac{(1+\beta_2)g_{m1}}{1+g_{m1}r_{be}} gm=ΔuGSΔiD=U˙gsI˙d=(1+gm1rbe)U˙gs1(1+β2)gm1U˙gs1=1+gm1rbe(1+β2)gm1因为 β 2 > > 1 \beta_2>>1 β2>>1,所以可以认为复合管的跨导 g m ≈ β 2 g m 1 1 + g m 1 r b e ( 2.7.2 ) g_m\approx\frac{\beta_2g_{m1}}{1+g_{m1}r_{be}}\kern 60pt (2.7.2) gm1+gm1rbeβ2gm1(2.7.2)场效应管与晶体管还可用其它接法构成复合管,但两只管子的位置不能互换,它们的跨导表达式与式(2.7.2)相类似。
(3)复合管的组成原则
a. 在正确的外加电压下,每只管子的各级电流均有合适的通路,且均工作在放大区或恒流区;
b. 为了实现电流放大,应将第一只管的集电极(漏极)或发射极(源极)电流作为第二只管子的基极电流。
由于晶体管构成的复合管有很高的电流放大系数,所以只需很小的输入驱动电流 i B i_B iB,便可获得很大的集电极(或发射极)电流 i C i_{C} iC(或 i E i_E iE)。在一些场合下,还可将三只晶体管接成复合管。应当指出,使用三只以上管子构成复合管的情况比较少,因为管子数目太多时,会因结电容的作用使高频特性变坏;复合管的穿透电流会很大,温度稳定性变差;而且为保证复合管中每一只管子都工作在放大区,必然要求复合管的直流管压降足够大,这就需要提高电源电压。

2、复合管共射放大电路

如图2.7.3(a)所示的复合管共射放大电路,图(b)是它的交流等效电路。在这里插入图片描述
注:该图中左边流控电流源的电流的应该为 β 1 I ˙ b 1 \beta_1\dot I_{b1} β1I˙b1、右边流控电流源的电流为 β 2 I ˙ b 2 \beta_2\dot I_{b2} β2I˙b2
由图(b)可知: I ˙ c = I ˙ c 1 + I ˙ c 2 ≈ β 1 β 2 I ˙ b 1 \dot I_c=\dot I_{c1}+\dot I_{c2}\approx\beta_1\beta_2\dot I_{b1} I˙c=I˙c1+I˙c2β1β2I˙b1 U ˙ i = I ˙ b 1 r b e 1 + I ˙ b 2 r b e 2 = I ˙ b 1 r b e 1 + I ˙ b 1 ( 1 + β 1 ) r b e 2 \dot U_i=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b2}r_{be2}=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)r_{be2} U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2 U ˙ o ≈ − β 1 β 2 I ˙ b 1 ( R c / / R L ) \dot U_o\approx-\beta_1\beta_2\dot I_{b1}(R_c//R_L) U˙oβ1β2I˙b1(Rc//RL)电压放大倍数 A ˙ u ≈ − β 1 β 2 ( R c / / R L ) r b e 1 + ( 1 + β 1 ) r b e 2 ( 2.7.3 ) \dot A_u\approx-\frac{\beta_1\beta_2(R_c//R_L)}{r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}}\kern 52pt(2.7.3) A˙urbe1+(1+β1)rbe2β1β2(Rc//RL)(2.7.3)输入电阻 R i = R b / / [ r b e 1 + ( 1 + β 1 ) r b e 2 ] ( 2.7.4 ) R_i=R_b//[r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}]\kern 40pt(2.7.4) Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2](2.7.4)与图2.2.5单管阻容耦合共射放大电路的输入电阻 R i = R b / / r b e R_i=R_b//r_{be} Ri=Rb//rbe相比, R i R_i Ri明显增大。说明当 U ˙ i \dot U_i U˙i相同时,从信号源索取的电流将显著减小。
分析表明,复合管共射放大电路增强了电流放大能力,从而减小了对信号源驱动电流的要求;从另一角度看,若驱动电流不变,则采用复合管后,输出电流将增大约 β \beta β倍。

3、复合管共源放大电路

如图2.7.4(a)所示为复合管共源放大电路,图(b)是它的交流等效电路。在这里插入图片描述由图(b)可知 I ˙ d = I ˙ d 1 + I ˙ c 2 = g m 1 U ˙ g s 1 + β 2 g m 1 U ˙ g s 1 = ( 1 + β 2 ) g m 1 U ˙ g s 1 ≈ g m 1 β 2 U ˙ g s 1 \dot I_d=\dot I_{d1}+\dot I_{c2}=g_{m1}\dot U_{gs1}+\beta_2g_{m1}\dot U_{gs1}=(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1}\approx g_{m1}\beta_2\dot U_{gs1} I˙d=I˙d1+I˙c2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1gm1β2U˙gs1 U ˙ i = U ˙ g s 1 + U ˙ b e 2 = U ˙ g s 1 + g m 1 U ˙ g s 1 r b e = ( 1 + g m 1 r b e ) U ˙ g s 1 \dot U_i=\dot U_{gs1}+\dot U_{be2}=\dot U_{gs1}+g_{m1}\dot U_{gs1}r_{be}=(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1} U˙i=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1 U ˙ o = − I ˙ d ( R d / / R L ) ≈ − g m 1 β 2 U ˙ g s 1 ( R d / / R L ) \dot U_o=-\dot I_d(R_d//R_L)\approx -g_{m1}\beta_2\dot U_{gs1}(R_d//R_L) U˙o=I˙d(Rd//RL)gm1β2U˙gs1(Rd//RL)电压放大倍数 A ˙ u = U ˙ o U ˙ i ≈ − g m 1 β 2 ( R d / / R L ) 1 + g m 1 r b e ( 2.7.5 ) \dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}\approx-\frac{g_{m1}\beta_2(R_d//R_L)}{1+g_{m1}r_{be}}\kern 40pt(2.7.5) A˙u=U˙iU˙o1+gm1rbegm1β2(Rd//RL)(2.7.5)输入电阻 R i = R g 3 + ( R g 1 / / R g 2 ) ( 2.7.6 ) R_i=R_{g3}+(R_{g1}//R_{g2})\kern 71pt(2.7.6) Ri=Rg3+(Rg1//Rg2)(2.7.6)采用复合管后,电路比单管共源放大电路的放大能力强得多;由于 R g 3 R_{g3} Rg3 可取几兆欧,电路比单管共射放大电路的输入电阻大得多。

4、复合管共集放大电路

图2.7.5(a)所示为阻容耦合复合管共集放大电路,其交流通路如图(b)所示,交流等效电路如图©所示。在这里插入图片描述根据输入电阻和输出电阻的物理意义,从图©可知 U ˙ i = I ˙ b 1 r b e 1 + I ˙ b 2 r b e 2 + I ˙ e 2 ( R e / / R L ) = I ˙ b 1 r b e 1 + I ˙ b 1 ( 1 + β 1 ) r b e 2 + I ˙ b 1 ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ( R e / / R L ) \dot U_i=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b2}r_{be2}+\dot I_{e2}(R_e//R_L)=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)r_{be2}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L) U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2+I˙e2(Re//RL)=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2+I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL) U ˙ o = I ˙ e 2 ( R e / / R L ) = I ˙ b 1 ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ( R e / / R L ) \dot U_o=\dot I_{e2}(R_e//R_L)=\dot I_{b1}(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L) U˙o=I˙e2(Re//RL)=I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL) A ˙ u = U ˙ o U ˙ i = r b e 1 + ( 1 + β 1 ) r b e 2 + ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ( R e / / R L ) ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ( R e / / R L ) \dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}+(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)}{(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)} A˙u=U˙iU˙o=(1+β1)(1+β2)(Re//RL)rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL) R i = R b / / [ r b e 1 + ( 1 + β 1 ) r b e 2 + ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ( R e / / R L ) ] ( 2.7.7 ) R_i=R_b//[r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}+(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)]\kern 70pt(2.7.7) Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL)](2.7.7) R o = R e / / [ r b e 2 1 + β 2 + r b e 1 + R s / / R b ( 1 + β 1 ) ( 1 + β 2 ) ] ( 2.7.8 ) R_o=R_e//[\frac{r_{be2}}{1+\beta_2}+\frac{r_{be1}+R_s//R_b}{(1+\beta_1)(1+\beta_2)}]\kern 156pt(2.7.8) Ro=Re//[1+β2rbe2+(1+β1)(1+β2)rbe1+Rs//Rb](2.7.8)显然,由于采用复合管,输入电阻 R i R_i Ri 中与 R b R_b Rb 相并联的部分大大提高,而输出电阻 R o R_o Ro 中与 R e R_e Re 相并联的部分大大降低,使共集放大电路 R i R_i Ri 大、 R o R_o Ro 小的特点得到进一步的发挥。
从式(2.7.7)可知,共集放大电路的输入电阻与负载电阻有关;从式(2.7.8)可知,共集放大电路的输出电阻与信号源内阻有关。但是必须特别指出,根据输入、输出电阻的定义,无论什么样的放大电路, R i R_i Ri 均与 R s R_s Rs 无关,而 R o R_o Ro 均与 R L R_L RL 无关。

二、共射 - 共基放大电路

将共射电路与共基电路组合在一起,既保持共射放大电路电压放大能力较强的优点,又获得共基放大电路较好的高频特性。图2.7.6所示为共射 - 共基放大电路的交流通路, T 1 T_1 T1 组成共射电路, T 2 T_2 T2 组成共基电路,由于 T 1 T_1 T1 管以输入电阻小的共基电路为负载,使 T 1 T_1 T1 管集电结电容对输入回路的影响较小,从而使共射电路高频特性得到改善。在这里插入图片描述从图2.7.6可以推导出电压放大倍数 A ˙ u \dot A_u A˙u 的表达式。设 T 1 T_1 T1 的电流放大系数为 β 1 \beta_1 β1,b-e 间动态电阻为 r b e 1 r_{be1} rbe1 T 2 T_2 T2 的电流放大系数为 β 2 \beta_2 β2,则 A ˙ u = U ˙ o U ˙ i = I ˙ c 1 U ˙ i ⋅ U ˙ o I ˙ e 2 = β 1 I ˙ b 1 I ˙ b 1 r b e 1 ⋅ − β 2 I ˙ b 2 ( R c / / R L ) ( 1 + β 2 ) I ˙ b 2 \dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{\dot I_{c1}}{\dot U_i}\cdot \frac{\dot U_o}{\dot I_{e2}}=\frac{\beta_1\dot I_{b1}}{\dot I_{b1}r_{be1}}\cdot \frac{-\beta_2\dot I_{b2}(R_c//R_L)}{(1+\beta_2)\dot I_{b2}} A˙u=U˙iU˙o=U˙iI˙c1I˙e2U˙o=I˙b1rbe1β1I˙b1(1+β2)I˙b2β2I˙b2(Rc//RL)因为 β 2 > > 1 \beta_2>>1 β2>>1,即 β 2 / ( 1 + β 2 ) ≈ 1 \beta_2/(1+\beta_2)\approx1 β2/(1+β2)1,所以 A ˙ u ≈ − β 1 ( R c / / R L ) r b e 1 ( 2.7.9 ) \dot A_u\approx-\frac{\beta_1(R_c//R_L)}{r_{be1}}\kern 85pt (2.7.9) A˙urbe1β1(Rc//RL)(2.7.9)与单管共射放大电路的 A ˙ u \dot A_u A˙u 相同。

三、共集 - 共基放大电路

图2.7.7所示为共集 - 共基放大电路的交流通路,它以 T 1 T_1 T1 管组成的共集电路作为输入端,故输入电阻较大;以 T 2 T_2 T2 管组成的共基电路作为输出端,故具有一定电压放大能力;由于共集电路和共基电路均有较高的上限截止频率,故电路有较宽的通频带。在这里插入图片描述根据具体需要,还可以组成其它电路,如共漏 - 共射放大电路,既保持高输入电阻,又具有高的电压放大倍数。可见,利用两种基本接法组合,可以同时获得两种接法的优点。

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