1、SiPM的电子模型

首先我们来看一下二极管的雪崩电子模型，电子模型和雪崩时的电流波形如下图所示，

电流上升的快慢是由电容的充放电速度决定的，充电的时常数Td=RS*Cd，放电的时常数

Tq=Rq*Cd，这里Rq>>Rs，所以充放电的波形如上图所示。

      下图为SiPM的电子模型，图中Rq为淬灭电阻，一般为MΩ级别，Cq为淬灭部分的寄生电容，Cd为二极管的体电容，开关表示雪崩的产生。

对于单个cell来讲，上升下降时间的时常数如下：

T (rise)=Rd(Cq+Cd)

Tfast (fall) = N*RS* Ctot (快输出)

Tslow (fall) = Rq (Cq+Cd) (慢输出)

对于一个像素来说，一般一个像素由一两千个cell，所以总的恢复时间为：

Tslow(fall)=(Rq+N*RS)(Cq+Cd)

2、SiPM的应用电路

1>供正偏置电压

2>负偏置电压

       除了上面的两种电路结构，还可以选择把RS电阻放在偏置电压这里，但是不推荐这样做，因为电源的噪声会直接给到RS电阻上，上面的两种电路结构可以用SiPM来隔电源上面的噪声。

3、SiPM的电参数

下面是滨松的S15639的规格书