一、芯片基础特性
核心参数
容量 :64Mb(8M × 8bit)电压 :单电源供电 2.7-3.6V (兼容3.3V系统)接口 :Quad-SPI(QPI/SPI)同步模式封装 : SOP-8L (150mil) (兼容主流贴装工艺)温度范围 : 工业级 -40℃ ~ +85℃ (后缀-LI
标识) 性能亮点
工作模式 最高频率 电压条件 32字节回绕突发 133MHz VDD=3.0V±10% 32字节回绕突发 109MHz VDD=3.3V±10% 线性突发跨页操作 84MHz 全电压范围
功耗优势
待机电流 :250μA @85℃(350μA @105℃)Halfsleep模式 :100μA @25℃(数据保持状态)动态电流 :≤7mA(50%总线切换率)
二、关键选型理由
硬件设计简化
引脚精简 :仅需4个I/O(CLK/CE#/SIO[3:0])实现高速通信免刷新设计 :集成自管理刷新机制(No DRAM Controller Needed)驱动强度 :默认50Ω LVCMOS输出,直驱微控制器IO 国产化优势
厂商 :深圳市满度科技有限公司(Cascadeteq Inc)供应链 :支持Tape & Reel卷盘包装(后缀-LI
含卷盘)交期可控 :本土生产保障供应稳定性 可靠性保障
工业级温度 :-40℃~+85℃严苛环境适用抗干扰设计 :内置电压传感器,支持软件复位(RESET
命令)
三、典型应用场景 ✅ 便携设备 :智能手表、AR/VR眼镜(低功耗+小封装) ✅ IoT终端 :传感器数据缓存(自刷新维持数据) ✅ 工控系统 :高速数据采集缓冲(133MHz突发传输)
四、选型注意事项
封装确认
CSS6404LS-LI :SOP-8封装(适合手工焊接/维修)同系列 CSS6404LU-LI :USON-8L (3x2mm) 超小封装(空间受限场景) 操作模式选择
跨页读取 :线性突发(Linear Burst)需≤84MHz高速模式 :32字节回绕突发(Wrap32)支持133MHz 上电初始化 markdown
VDD稳定 → CE#保持高电平150μs → 发送RESET命令(>50ns) → 进入正常工作
五、型号参考
型号 温度范围 封装 频率 CSS6404LS-L 0℃~+70℃ SOP-8 84MHz CSS6404LU-LI -40℃~+85℃ USON-8L 84MHz CSS6404LS-LI -40℃~+85℃ SOP-8 133MHz
提示 :完整数据手册下载:*附件:CSS6404L 64Mbit 3.3V QSPI pSRAM-MD-25.pdf
CSS6404LS-LI 凭借3.3V兼容性、工业级可靠性、133MHz QSPI突发性能 及国产供应链优势 ,成为替代ISSI/AP Memory等进口pSRAM的理想选择。适用于对功耗、体积和成本敏感的嵌入式系统设计,建议优先用于工业控制、穿戴设备及物联网终端。