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艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数：
型号：IXFK32N100P
漏极-源极电压（VDS）：1000V
连续漏电流（ID）：32A
功耗（PD）：960W
工作结温度（TJ）：-55 to +150℃
零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA
漏极源导通电阻RDS(ON)：320mΩ
输入电容（CISS）：14.2pF
二极管正向电压（VSD）：1.5V
反向恢复时间（trr）：300ns
IXFK32N100P封装尺寸：
封装：TO-264
总长度：46.99mm
本体长度：26.16mm
引脚长度：20.83mm
宽度：19.96mm
高度：5.13mm
脚间距：5.46mm
IXFK32N100P特征：
快速本征二极管
国际标准包装
额定无阻尼感应开关（UIS）
低封装电感-易于驱动和保护
IXFK32N100P应用：
开关模式和谐振模式电源
DC-DC转换器
激光驱动器
交流和直流电机控制
机器人和伺服控制
