上图是一款在美国卖得很火的挂烫机的电源电路和双向可控硅控制电路，可以看到电源部分采用的是阻容降压，阻容降压电路适用于低成本小电流的应用场合，根据电容容抗的计算公式Xc=1/(2πfC) 可算出容抗大小，（f为市电的频率50Hz，C为电容值的大小），假如降压电容容量1μF，那么将U市电电压220V加在电容上，所产生的容抗约为3183.09Ω，那么流过电容的电流I=U/Xc=69.1mA。

由于其它参数一般为固定值，电路中的降压电容的容量大小决定了降压电路中的电流大小，因此可以根据负载电流的需要选择降压电容的容量大小，220V、50Hz的交流电路中，下表是电容降压电路中电流大小与容量之间的关系，表中所示电流为特定降压电容器容量下的最大电流值：

该电路设计巧妙的点并不在于阻容降压部分，而是把零线ACN当成MCU供电的VCC，如果此时我们把ACN当成零电位来看的话，则MCU的GND其实是-5V。此时可以分析到当Q3、Q4三极管导通时，Q1、Q2双向可控硅的控制极G电压为-5V，则可以知道他们工作在(G,T2)分别为（-，+）和（-，-）的二三象限，则使用三象限可控硅或四象限可控硅均可以满足该控制电路，三象限可控硅具有对控制极的电流要求较低，不易误触发等优点，所以既然能三象限可控硅能满足要求，那肯定优先选择三象限可控硅了。
看到很多可控硅控制电路在电源非隔离的情况下为了使可控硅避开在第四象限工作而使用了光耦，如下图：

现在通过该方法就可以将光耦省去了，即省成本又省空间。