韩国GaN外延片技术专家 IVWorks 宣布完成 450万美元的新一轮融资
核心技术reGaN 与外延专长IVWorks 依托其在磊晶Epiwafer领域的深厚积累正在向多个高端领域扩张核心技术基于选择性区域再生长Selective Area Regrowth技术的reGaN。技术价值该技术已通过主要代工厂Foundry的认证能够有效解决氮化镓器件中的接触电阻Contact Resistance问题从而显著提升器件性能和能效。产品平台氮化铝镓 HEMT 在碳化硅上AlN HEMT on SiC氮化镓 HEMT 在硅上GaN HEMT on Si垂直氮化镓磊晶片Vertical GaN epiwafers市场应用方向该公司正在将其技术应用于以下高增长领域高频通信瞄准E-band 和 W-band频段的射频RF应用主要用于卫星通信Satcoms和无线回传Wireless backhaul。AI 算力供电切入AI电源交付市场为包括HBM高带宽内存和GPU系统在内的先进计算平台提供PoL负载点转换器。官方表态CEO Young-Kyun Noh表示这笔投资反映了股东对IVWorks技术路线图的信心。公司致力于通过reGaN解决全球合作伙伴的关键技术难题并通过计划中的IPO建立可持续增长的基础。速读IVWorks 正利用这笔新资金将其独特的 reGaN 技术从单纯的材料供应扩展到解决高频通信和AI算力瓶颈的关键器件领域是氮化镓行业在射频和功率电子领域融合应用的一个典型案例。
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