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20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

20N65参数描述

型号：20N65

封装：ITO-220AB

特性：N沟道高压MOS管

电性参数：20A 650V

正向电流(Io)：20A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω

功耗（PD）：239W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

最大脉冲正向电流ISM：80A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

20N65是TO-220封装系列。它的本体长度为20.1mm，加引脚长度为40.4mm，宽度为15.8mm，高度为5.0mm，脚间距为5.45mm。

以上就是关于20N65-ASEMI高压MOS管20N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。