220V转12V成熟设计做过相关认证。 两种电路。 16W,包含原理图和pcb附芯片手册包含变压器设计. 2) 12W,包含原理图和pcb附 BOM,变压器参数芯片手册。 备注方案一芯片比方案二芯片价格偏低量大可采用。方案一用的是OB2500这颗神仙芯片某宝零售价才八毛五批量能压到三毛。原理图里有个骚操作——初级侧RC吸收电路用两颗0805电阻并联这可不是我手抖多画了零件。实测单颗1/4W电阻温升直接破百两兄弟分担电流后温度控制在60℃以下BOM成本多花三分钱换可靠性绝对值。变压器骨架选EE16就行绕线数据注意这个细节初级绕92Ts用0.18mm漆包线次级用三重绝缘线绕11Ts。重点来了初级电感量控制在2.2mH±10%时效率最高实验室测出来带载效率82%刚好过认证线。有个坑得提醒磁芯气隙千万别图方便用垫片必须磨磁芯否则量产时电感量离散性会让你哭晕在厕所。方案二的12W方案上了安森美NCP1251虽然芯片贵五毛但自带频率抖动功能。原理图里MOS管驱动电路藏着小心机——栅极电阻并了个102电容这组合能把开关振铃电压削掉30%。PCB布局讲究热区隔离初级高压走线全部走在顶层次级低压线路走底层中间挖了2mm的隔离槽。220V转12V成熟设计做过相关认证。 两种电路。 16W,包含原理图和pcb附芯片手册包含变压器设计. 2) 12W,包含原理图和pcb附 BOM,变压器参数芯片手册。 备注方案一芯片比方案二芯片价格偏低量大可采用。变压器改用EE19磁芯绕线工艺得升级。初级0.25mm线径绕68Ts次级用0.4mm*2并绕8Ts。关键参数是漏感要压到45uH以内实测漏感超过50uH的话MOS管DS尖峰直接飙到650V离700V的耐压极限就危险了。有个骚操作次级整流管别死磕超快恢复二极管用两颗SS34背对背并联温升比单颗肖特基管还低5℃。两个方案过认证最大的坑其实是变压器工艺三重绝缘线要包两层玛拉胶带初级到次级的爬电距离必须≥6mm。有个野路子变压器引脚预先弯折成Z字形比直线引脚能多争取1.5mm的爬距。EMI测试时发现方案二在1MHz附近有个突起最后在整流桥并了个221/1kV的Y电容才压下来。量产建议方面6W方案成本能压到7.2元千片价12W方案贵三块但效率高6个百分点。有个反直觉的现象12W方案虽然芯片贵但整体BOM成本占比反而更低因为MOS管和变压器用料更优化。最后甩个实战数据方案二连续老化72小时后电解电容表面温度仅72℃比行业常规设计的85℃靠谱多了。