双界面法(Transient Dual Interface Method,TDIM)热阻公式详解
双界面法(Transient Dual Interface Method,TDIM)热阻公式详解双界面法是JEDEC JESD51-14标准规定的标准方法,用于精确测量半导体器件(如功率MOSFET、IGBT、LED等)的结到壳热阻(( R_{\theta JC} ) 或 (\theta_{JC}),单位 K/W 或 ℃/W)。它比传统热电偶测壳温的方法(MIL-STD-883等)精度更高、可重复性更好,避免了壳温分布不均、热电偶误差等问题。1. 核心原理器件内部从结(Junction)到外壳(Case)的热路径在两次测试中完全相同,但外壳与冷却板(热沉)的接触界面热阻不同:第1次:干接触(直接贴合冷却板,接触热阻较高)第2次:涂导热硅脂(接触热阻极低)2. 关键公式详解
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