一、基本元器件1、电阻电阻的大小由导体 的材料、长度、横截面积和温度共同决定。1.1相关计算公式导体的电阻R可通过以下公式计算Rρ.L/Aρ电阻率材料特性单位Ω·m l导体长度单位m A导体横截面积单位m²串联电阻总阻值为各电阻之和 R_总 R_1 R_2 ... R_n并联电阻总阻值的倒数为各电阻倒数之和 1/R_总 1/R_1 1/R_2 ... 1/R_n1.2电阻分类固定电阻碳膜电阻成本低精度一般用于普通电路 通过色环颜色和位置表示阻值与精度4 环电阻前两环为有效数字第三环为倍乘第四环为误差。5 环电阻前三环为有效数字第四环为倍乘第五环为误差。金属膜电阻精度高温度稳定性好适用于精密仪器。3 位读数前2位为有效数字第3位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。 精度为±5%4 位读数前3位为有效数字第4位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。读法 和3位的原理一样精度为±1%阻值小于10的读数通常在两个数之间插入一个字母R用字母R来代替小数点。线绕电阻功率大耐高温用于大电流场合。可变电阻电位器阻值可手动调节用于音量控制等。热敏电阻阻值随温度变化分为PTC正温度系数和NTC负温度系数。光敏电阻阻值随光照强度变化用于光控电路。2、电容电容是电子元件中存储电荷的能力单位为法拉F由两个导体及其间的绝缘介质构成作用通交隔直通高阻低电容能近似通交流电因为是开路所以直流电无法通过频率高的电源可以近似同过频率低的就近似无法通过。2.1相关计算公式电容计算公式为C Q/U 其中C为电容Q为存储电荷量U为导体间电压。并联电容总容量等于所有电容容量之和。C 总C1C2C3⋯Cn串联电容总容量的倒数等于各电容容量倒数之和。1/C_总 1/C_1 1/C_2 ... 1/C_n2.2电容的充放电充电放电2.3电容的基本作用3、电感3.1基本特性“通直流阻交流”3.2基本特性电源电路储能、滤波如DC-DC转换器。射频/通信阻抗匹配、谐振如天线匹配。EMI 抑制吸收高频噪声如磁珠。信号调理限流、延时如高速信号线串联电感4、PN结4.1 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体具有很弱、但可控的导电性4.2 掺杂向纯净的本征半导体如硅Si中人为地、有控制地掺入微量的特定杂质 原子从而永久性、革命性地改变其导电类型和导电能力的过程。掺杂后的半导体称为 “杂 质半导体” 主要分为两大类N型 和 P型。N型掺杂掺入最外层有5个电子的杂质原子如 磷(P)、砷 (As)、锑 (Sb)P 型掺杂掺入最外层有3个电子的杂质原子如 硼(B)、镓(Ga)、铟 (In)4.3PN结扩散运动由于P区空穴浓度极高N区电子浓度极高载流子会自然而然地从高浓度区域向低浓 度区域运动。空穴越过边界扩散到N区电子越过边界扩散到P区。漂移运动由于载流子的扩散P区一侧因电离受主而呈现负空间电荷N区一侧因电离施主而呈 现正空间电荷。这些不可移动的空间电荷在结区形成了从N区指向P区的内建电场。在该 电场作用下P区内的少数载流子电子 将沿电场反方向即从P区向N区作漂移运动。内建电场与动态平衡最终由浓度差驱动的多数载流子扩散流与由内建电场驱动的少数载流子漂移流大小相等、方向相反达到动态平衡净电流为零耗尽层宽度稳定我们将这个区域称之为 PN结