本文主要叙述N沟道MOS管（N-MOS）和P沟道MOS管（P-MOS）的区别，以及的增强型和耗尽型的区别。

一、N-MOS和P-MOS的区别

N沟道MOS管在栅极上施加正向偏压（Vgs>0），且只有栅源电压（Vgs）大于阈值电压时才有导电沟道产生。

P沟道MOS管在栅极上施加负向偏压（Vgs<0），且只有栅源电压（Vgs）低于阈值电压时才有导电沟道产生。

二、增强型和耗尽型的区别

• 增强型MOS管：在没有栅极电压（Vgs）时，沟道不存在，器件处于截止状态。只有当施加正向栅极电压（Vgs > Vgs(th)）时，沟道才会形成，器件开始导通。增强型MOS管需要外部电压来控制其导通状态. 
• 耗尽型MOS管：在没有栅极电压（Vgs）时，已经存在导电沟道，器件处于导通状态。因此在Vgs=0时器件是导通的。当施加负向栅极电压时，耗尽型MOS管会截止导通。耗尽型MOS管可以在没有外部电压的情况下导通，但需要负向电压来实现截止.