推挽电路：Push-Pull 即推-拉的意思。

推挽电路本质是功率放大电路（放大电流），增大输入信号的驱动能力，具有以下两个特点。

1 很强的灌电流，即向负载注入大电流。

2 很强的拉电流，即从负载抽取大电流。

图腾柱跟推挽就一个玩意。就是上下各一个晶体管，上管为NPN，下管为PNP,c极接正电源，e极接负电源，注意，是负电源，是地。两个b极接到一起，接输入，上管的e和下管的c接到一起，接输出。  用来匹配电压，或者提高IO口的驱动能力。有几种图腾柱电路的变种，一种是两管全用NPN（可以实现输入PWM幅值电压小于输出PWM幅值电压），但是下管通过一个反相器接到输入，也起到同样作用；还有一种是下管的e接到地，两管之间靠一个稳压管代替负电源。

   NPN型三极管   

 PNP型三极管

由NPN+PNP三极管组成的推挽电路，这就是我们常用的互补推挽电路。特点是输出阻抗很小，驱动能力很强。输出与输入相位一致

该图是正确的推挽电路，必须输入的PWM的高电平跟供电电压一致。若驱动小于供电，例如是MCU的电平的话，一般MCU输出的幅值是3.3V，供电电压12V，会出现 1 由于三极管的PN压降，那么给到MOS驱动的只有2.7V左右，不能使得MOS管完全的导通。 2 这个时候三极管的Vce压降有9.3V，又此处的驱动电流比较大，会有200mA-2A,那么三极管的功耗会非常大。

这是一个错误的用法，如果单独输入是0V或12V，那么该电路看似没有毛病，但是输入信号是变化的，电压信号高低电平的跳变有过渡的过程，所以在某个中间电压时会出现两个管子同时导通的情况，这是要炸管的

为什么芯片采用NPN+NPN而不采用PNP+NPN？原因是芯片内部的工作电压为5V（VCC经过芯片内部的线性电源得到5V），由前面对互补推挽的分析得知该结构并不适用于小电压驱动大电压；于是图腾柱结构的推挽孕育而生。

图腾柱电路工作原理分析
1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。3）得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？5）另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开，比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数。6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。　　总之，具体用时要考虑的问题还真不少，单挑一个出来都非常简单，但加到一块，还真要花点时间研究计算一下。因为是做产品，所有的规格参数，寄生参数，tolerance，温度，cost，PCB空间等等等等，前前后后的一堆问题都得面对，不象写paper或仿真，抓住一点，其它都可考虑为理想状态，这样当然很快可以推出理想的结果。

   在实际使用中，如果我们就按照图中所示的电路的话，往往会因为走线电感与管子的结电容引起谐振而带来问题。这时候我们可以增加电路图中的R1与D1加速放电，避免引起共振

    

为了提升图腾柱的抗干扰能力，我们可以将电路改为下图所示