目录

一、电路图

二、底层驱动代码

三、温度读取实现

四、实际使用

 

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一、电路图

二、底层驱动代码

时序是单总线 

我们需要修改的地方是单总线内部延时函数，改成

void Delay_OneWire(unsigned int t)  
{
    t*=12;
    while(t--);
}

#ifndef __ONEWIRE_H
#define __ONEWIRE_H

#include <STC15F2K60S2.H>

sbit DQ = P1^4;  



#endif

#include "onewire.h"

//单总线内部延时函数
void Delay_OneWire(unsigned int t)  
{
    t*=12;
	while(t--);
}

//单总线写操作
void Write_DS18B20(unsigned char dat)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		DQ = 0;
		DQ = dat&0x01;
		Delay_OneWire(5);
		DQ = 1;
		dat >>= 1;
	}
	Delay_OneWire(5);
}

//单总线读操作
unsigned char Read_DS18B20(void)
{
	unsigned char i;
	unsigned char dat;
  
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		DQ = 0;
		dat >>= 1;
		DQ = 1;
		if(DQ)
		{
			dat |= 0x80;
		}	    
		Delay_OneWire(5);
	}
	return dat;
}

//DS18B20初始化
bit init_ds18b20(void)
{
  	bit initflag = 0;
  	
  	DQ = 1;
  	Delay_OneWire(12);
  	DQ = 0;
  	Delay_OneWire(80);
  	DQ = 1;
  	Delay_OneWire(10); 
    initflag = DQ;     
  	Delay_OneWire(5);
  
  	return initflag;
}

三、温度读取实现

void T_Concert()
{
	init_ds18b20();
	Write_DS18B20(0xCC);//跳过ROM
	Write_DS18B20(0x44);//转换温度
}

float T_read()
{
	u8 TL=0,TH=0;
	u16 temp;
	float T;

	init_ds18b20();
	Write_DS18B20(0xcc);//跳过ROM
	Write_DS18B20(0xbe);//转换温度
	TL=Read_DS18B20();//先读低位
	TH=Read_DS18B20();
	temp=TL|(TH<<8);//高位左移八位
	T=temp/16.0;
	return T;
}

四、实际使用

float T;
void main()
{
	T_Concert();
	Delay(750);
	All_Init();
	Timer1Init();	//1毫秒@11.0592MHz

        if(Tem_f == 1)
    {
	    T_Concert();
	    T = T_read();
	    temp = T*100;
	    Tem_f = 0;
        seg_set(16,16,16,16,16,temp/100,temp /10%10+32,temp %10);
    }
}

void Timer1() interrupt 3
{
	TL1 = 0x18;		
	TH1 = 0xFC;			
	count++;
    seg_loop();
	if(count % 500 ==0){Tem_f = 1;}
	count %= 1000;
}