MDR取出数据，然后通过数据总线传递给CPU，
地址总线传递信号给到MAR
就是说片选线是用来选择操作哪个芯片
8*8位
第一个代表存储单元的数量，第二个代表存储字长
有几个存储单元，就对应多少位地址以及多少的地址线
存储字长决定数据线的数量
字节寻址，1B是一字节8BIT，总容量=个数*大小，寻址的时候变的是大小，因此变的是个数
充电的过程是写的过程，放电是读的过程
SRAM,DRAM
DRAM
栅极电容的读出数据线只有1根，而双稳态有两根
所谓刷新就是这个
行列地址分两次送，地址线数量更少，芯片引脚更少
对于DRAM常用作主存，存储数量多，地址线多，所以要分两次送，可以减少一半的引脚数量；而对于SRAM，存储数量少，就不需要分两次
DRAM刷新
目的是减少线的数量，减少选通线的数量
对于一维时，地址就直接是位置，二维时前一半是行的坐标，后一半是列的坐标
ROM
RAM是内存，ROM是辅存
所谓断电就是开机关机
主存储器与CPU连接
8K*1位是说有8K个存储单元，每个数据的位数是1位
1K是2^10
CPU的数据总线利用能力不充分
