LM285D-1.2 是一款参考电压芯片，本次备忘使用的数据手册是安美森家的。

LM285D 中的 D 指的是 SOIC-8 封装，是贴片的; 而 LM285Z 中的 Z 指的是 TO-92 封装，是直插的。购买时需要注意，防止买错封装。

注：以下参数中，典型值 均在 25℃条件下测得。

温度范围

这款芯片的温度范围是：-40℃ ~ 80℃，可以达到工业级。

注：LM358D-1.2 温度范围是：0℃ ~ 70℃，为民用级。

反向击穿电压：V_(BR)R

反向击穿电压 是我们要使用的参考电压，V_(BR)R 典型值为： 1.235V，全温度范围内，这个值为：1.200V ~ 1.270V。

这里需要注意的是：

1. 虽然名字叫 LM285D-1.2 ，可不要认为反向击穿电压是 1.2V！反向击穿电压的典型值是 1.235V，写程序时不要用错了。
2. 全温度范围内，误差为 ±35mV，误差达到了2.8%，在实际应用中，要考虑环境因素会不会有这么大的波动。作为对比，在室温 25℃ 条件下，最大误差为 0.97%（1.223V ~ 1.246V，误差为 ±12mV）。

最小操作电流：I_Rmin

最小操作电流 I_Rmin 的典型值为 8uA，全温度范围内，这个值最大为 20uA。

这个参数决定了电路中的限流电阻最大值。如下图所示的典型电路中，供电电压为 1.5V，限流电阻为 3.3K，则操作电流为 8uA。

选择小的操作电流，可以节省功耗，如果你对功耗不是特别在意，推荐操作电流最小为 20uA，这样在全温度范围内都可以保证正常工作。

以供电电源 3.3V 为例，20uA 的操作电流需要 10K 电阻。

反向击穿电压随电流变化：ΔV_(BR)R

反向击穿电压随电流变化，这里 电流 指的是操作电流 I_R。

操作电流范围为 I_Rmin ≤ I_R ≤ 1.0mA 时，最大值为 1.0mV，全温度范围内最大值为 1.5mV ;
操作电流范围为 1.0mA ≤ I_R ≤ 20mA 时，最大值为 10mV，全温度范围内最大值为 20mV ;

用图表来看会更清晰些：

从这里可以看出，操作电流不宜大于 1mA，当操作电流比较大时，操作电流的微小变化，会让反向击穿电压的变化量更大。这里需要注意的是，操作电流越小，带负载的能力越小，如果你需要让这款芯片驱动一个不那么高阻抗的设备，建议使用跟随机做缓冲，保持操作电流尽可能的小（同时不能低于 I_Rmin）。

反向动态阻抗：Z

典型值为 0.6Ω